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Alt 09.03.2007, 10:42   #4   Druckbare Version zeigen
NilsM Männlich
Mitglied
Themenersteller
Beiträge: 1.285
AW: Oxidationsstufe

Zitat:
Das hängt damit zusammen, dass die Abschirmungsfähigkeit in der Reihe s > p > d > f
Ich habe im Huheey nachgelesen und dort steht folgendes:
Man muss das Ion auch hier als ganzes sehen. Durch die Abgabe von Elektronen, steigt die effektive Kernladung an. Dadurch wird das minimal höher liegende 3d-Orbital unter das 4s-Orbital gezogen, da sich mit zunehmender effektiven Kernladung die Orbitale einer Hauptquantenzahl zunehmend entartet verhalten.
Das heisst, das 3d-Niveau fällt zunehmend richtung 3p-Niveau.

Das wäre ja genau dieser Effekt, wenn ich das richtig verstanden habe. Das erreichen der höchsten Ox-Stufe hängt ja im Grunde nur an dem Bestreben die s-Elektronen loswerden zu wollen.

Bei HG-Elementen findet man mit zunehmender Größe:
  • einen größeren Radius der Elemente => kleine Bindungsenergien
  • Kontraktion der s-Orbitale, die dadurch stärker gebunden werden
Bei NG-Elementen findet man mit zunehmender Größe:
  • bei zunehmender(effekt) Kernladungszahl => Verlagerung der Energieniveaus (n-1)d und ns => bessere Stabilisierung des Ions als bei Abgabe der d-Elektronen => Abgabe der s-Elektronen

Würde man diesen Erklärungsansatz so gelten lassen können.
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