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Alt 03.09.2010, 11:40   #1   Druckbare Version zeigen
tbeyer Männlich
Mitglied
Themenersteller
Beiträge: 1.107
Beitrag Raster-Kelvinkraft-Mikroskopie zur quantitativen Dotierprofilierung an dotiertem Silizium und Mn-implantiertem Germanium

Die Untersuchung elektrischer Materialeigenschaften auf der Nanometerskale ist von großer Bedeutung für die Materialforschung sowie für verschiedene Industriezweige. Eine besondere Rolle spielt dabei die quantitative Bestimmung von Dotierprofilen in dotierten Halbleitermaterialien. Die Kenntnis der Dotierkonzentration auf der Nanometerskale ist essentiell für die Fehleranalyse von Halbleiterbauel...

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Quelle: Analytik-News
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